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深圳市大源实业科技有限公司

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STM32H743VIT6 ST 意法半导体 集成电路 处理器 微控制器

发布时间: 2023/6/7 17:05:04 | 63 次阅读

STM32H743VIT6设备基于高性能Arm?Cortex?-M7 32位RISC内核,工作频率高达480 MHz。Cortex?-M7he心采用浮点单元(FPU),支持Arm?双精度(符合IEEE 754标准)和单精度数据处理指令和数据类型。该器件支持全套DSP指令和内存保护单元(MPU),以增强应用程序的安全性。

STM32H743VIT6包含高速嵌入式存储器,具有高达2兆字节的双组闪存、高达1兆字节的RAM(包括192千字节的TCM RAM、高达864千字节的用户SRAM和4千字节的备份SRAM),以及连接到APB总线、AHB总线、,2x32位多AHB总线矩阵和支持内部和外部存储器访问的多层AXI互连。

STM32H743VIT6提供三个ADC、两个DAC、两个超低功率比较器、一个低功耗RTC、一个高分辨率定时器、12个通用16位定时器、两个用于电机控制的PWM定时器、五个低功耗定时器和一个真随机数发生器(RNG)。这些设备支持用于外部西格玛-德尔塔调制器(DFSDM)的四个数字滤波器。它们还具有标准和gao级通信接口。

如果需要采购原装STM32H743VIT6器件,或者查看更多PDF文档,都可以随时联系我们。

规格参数

功能特点

he心

?32位Arm?Cortex?-M7内核,带双精度FPU和L1缓存:16 KB数据以及16K字节的指令高速缓存;频率zui高480 MHz,MPU,1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和DSP

内存

?高达2兆字节的闪存,支持边读边写

?高达1兆字节的RAM:192千字节的TCM

RAM(股份有限公司64 KB的ITCM RAM%2B

128 KB DTCM RAM,用于时间关键型例程),zui高864 KB的用户SRAM,以及备份域中4 KB的SRAM

?双模Quad SPI存储器接口运行频率高达133 MHz

?具有高达32位数据总线:SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSSDR SDRAM、NOR/NAND闪存,内存时钟高达100 MHz同步模式

?CRC计算单元

安全

?ROP、PC-ROP、主动夯实机通用输入/输出

?多达168个具有中断功能的I/O端口复位和电源管理

?3个独立的电源域,可以独立时钟门控或关闭:

–D1:高性能能力

–D2:通信外围设备和定时器

–D3:复位/时钟控制/电源管理

?1.62至3.6 V应用电源和I/O

?POR、PDR、PVD和BOR

?嵌入3.3 V的专用USB电源提供内部PHY的内部调节器

?嵌入式调节器(LDO),可配置提供数字电路的可缩放输出

?运行和停止模式下的电压缩放(6可配置范围)

?备用调节器(~0.9 V)

?模拟外围设备/VREF的参考电压%2B

?低功耗模式:睡眠、停止、待机和支持电池充电的VBAT低功耗

?带充电的VBAT电池工作模式能力

?CPU和域电源状态监测引脚

?待机模式下2.95?A(备份SRAM关闭,RTC/LSE打开)

时钟管理

?内部振荡器:64 MHz HSI,48 MHz

HSI48、4 MHz CSI、32 kHz LSI

?外部振荡器:4-48 MHz HSE,

32.768千赫LSE

引脚配置

典型应用电路

电源供电示意图

封装设计参数

STM32H743VIT6是一款高性能32位微控制器,属于STM32H7系列产品,采用了Cortex-M7内核,集成了多种外设和高速接口。STM32H743VIT6主要特点如下:

  1. 高性能:采用了Cortex-M7内核,主频可达400MHz,具有强大的处理能力。
  2. 多种外设:集成了多种外设,包括ADC、DAC、定时器、UART、SPI、I2C、USB、以太网等,可以满足多种应用需求。
  3. 高速接口:集成了多个高速接口,包括SDMMC、CAN、SDIO、QSPI等,可以实现高速数据传输和存储。
  4. 大容量存储:具有大容量的Flash存储和RAM存储,可以满足大型应用的存储需求。
  5. 丰富的开发工具和支持:提供了丰富的开发工具和技术支持,包括ST-LINK调试工具、CubeMX软件开发包、RTOS等。

总之,STM32H743VIT6是一款高性能、多功能、支持高速接口的32位微控制器,适用于多种应用场景,包括工业控制、医疗设备、智能家居、汽车电子等。